인피니언, 에너지 효율이 뛰어난 인핸스먼트 모드 및 캐스코드 구조 GaN-on-Silicon 플랫폼 발표
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 GaN-on-Silicon 기술 및 제품 포트폴리오를 확장했다고 밝혔다.
인피니언이 제공하는 인핸스먼트 모드(Enhancement mode) 및 캐스코드(Cascode) 구조 GaN(갈륨 나이트라이드)기반 플랫폼은 매우 높은 에너지 효율을 필요로 하는 서버용 SMPS(switch mode power supply), 통신장비, 휴대 전원, 클래스 D 오디오 시스템 등 고성능 애플리케이션에 최적화됐다.
GaN 기술은 전원장치의 크기와 무게를 크게 줄일 수 있으므로 초박형 LED TV 등의 최종 제품으로 새로운 가능성을 실현할 수 있을 것으로 기대된다. GaN-on-Silicon 기술은 실리콘 기반 솔루션에 비해서 더 작은 풋프린트로 향상된 전력 밀도와 더 높은 에너지 효율을 제공한다. 따라서 TV 전원장치와 클래스 D 오디오 증폭기 같은 컨슈머 제품에서부터 서버와 통신장비 SMPS에 이르기까지 다양한 유형의 애플리케이션에 이용하기에 적합하다.
시장 조사 기관인 IHS의 조사에 따르면, GaN-on-Silicon 전력 반도체 시장이 50퍼센트 이상의 CAGR(복합 연평균 성장률)로 성장함으로써 2014년에 1500만 달러 규모에서 2023년에는 8억 달러 규모로 증가할 것으로 전망된다.
인피니언 산업 및 멀티마켓 사업부의 안드레아스 우르쉬츠 (Andreas Urschitz) 사장은 “인수를 통해 확보하게 된 인터내셔널 렉티파이어(IR)의 GaN 플랫폼 및 파나소닉(Panasonic)과의 협력으로 인피니언의 GaN-on-Silicon 포트폴리오는 전도유망한 GaN 시장에서 선도적 입지를 다지고 있다. 인피니언의 ‘제품 관점에서 시스템 관점으로(Product to System)’라고 하는 전략과도 부합하는 것으로서, 이제 고객들이 자사 애플리케이션/시스템 필요에 따라서 인핸스먼트 모드나 캐스코드 구조 기술을 선택할 수 있게 되었다. 이와 함께 인피니언은 SMD(Surface Mount Device) 패키지 및 IC 개발에 박차를 가하고 있으므로 소형화된 풋프린트로 GaN의 탁월한 성능을 최대한 활용할 수 있도록 할 것이다. 실제적인 예를 들자면 인피니언의 GaN 기술을 이용하면 현재 시장에 나와 있는 랩탑 충전기 대비 크기와 무게가 1/4에 불과한 작은 충전기를 만들 수 있다.”라고 말했다.
인피니언의 확대된 제품 포트폴리오는 전용 드라이버와 컨트롤러 IC를 포함하여 GaN의 이점을 최대한 활용하는 토폴로지와 고주파수가 가능하도록 할 것이다. 또한 광범위한 특허 포트폴리오, GaN-on-Silicon 에피택시(epitaxy) 공정, IR 인수를 통해 확보하게 된 100V~600V 기술을 통해 크게 향상되고 있다. 뿐만 아니라 파나소닉과 전략적 제휴를 체결함으로써 인피니언과 파나소닉은 공동으로 파나소닉의 “normally-off”(enhancement mode) GaN-on-Silicon 트랜지스터 구조를 인피니언의 SMD(Surface Mount Device) 패키지로 집적한 디바이스를 공동으로 공급할 예정이다. 따라서 고객들은 매우 효율적이며 사용하기 편리한 600V GaN 전력 디바이스를 두 군데 회사에서 공급받을 수 있어 “듀얼 소싱”의 부가적 이점을 누릴 수 있다.
이로써 인피니언은 고객들에게 일체의 시스템 노하우와 업계에서 가장 포괄적인 GaN 기술 및 제품을 제공하게 되었다. 또한 뛰어난 제조 역량 및 생산 용량을 갖추고 있으며, 인피니언 SMD 패키지로 제공되는 “normally-off” GaN 전력 디바이스의 2차 공급업체까지 보유하게 되었다고 인피니언은 밝혔다.
아이씨엔 오윤경 기자 news@icnweb.co.kr
