2024년 11월 17일
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아이씨엔매거진
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인피니언 OptiMOS 전력 MOSFET.. 더 높은 전력 효율을 향하여

오승모 기자 -
인피니언 테크놀로지스는 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET을 새롭게 출시한다고 밝혔다. PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공되는 이 제품은 MOSFET 성능에 있어서 새로운 기준을 제시하며, 더 높은 효율, 더 높은 전력 밀도, 더 우수한 열 관리 및 낮은 BOM(bill of material)을 제공한다.

넥스페리아, 업계 최저 허용 오차 전압 기준에 맞춘 다이오드 출시

오윤경 기자 -
±1%의 허용 오차만을 가진 BZT52H-A(SOD123F) 및 BZX384-A(SOD323) 제품들은 B(±2%) 및 C(±5%) 제품군에 비해 더 높은 정밀 전압 기준을 제공한다.

가전제품을 위한 BLDC 모터에서의 새로운 도전

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 모터 구동 소프트웨어가 불필요한 사다리꼴 제어 및 자속기준제어 (FOC)를 사용한 업계 최초의 70W BLDC 모터 드라이버 제품을 출시한다고 밝혔다.

ST마이크로일렉트로닉스, 산업 및 홈 자동화 지원 단일칩 GaN 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다.

넥스페리아, 맨체스터 8인치 웨이퍼 라인에서 80 V/100 V MOSFET 생산 개시

오승모 기자 -

넥스페리아, 자동차 및 산업용 최고 전력 밀도 MOSFET 제공

오승모 기자 -

인피니언, 24V 듀얼-채널 하측(low side) 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 열 패드를 통합한 새로운 24V 듀얼-채널 하측 (low side) 게이트 드라이버 EiceDRIVER 제품군을 출시한다고 밝혔다.

인피니언, EiceDRIVER™ 강화 버전 게이트 드라이버 IC 출시

오윤경 기자 -

인피니언, 차량 내 소형 전기 모터 제어를 위한 고집적 모터 시스템 IC 출시

오승모 기자 -

인피니언, 전기차를 위한 새로운 실리콘 카바이드 전력 모듈 출시

오승모 기자 -

인피니언, 배터리 구동용 D2PAK 7pin+ 패키지 StrongIRFET MOSFET 출시

오윤경 기자 -

넥스페리아, 통신 및 산업용 분야에 적합한 고효율 GaN FET 출시

Hordon Kim -
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