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인피니언 테크놀로지스는 지능형 통합 하프 브리지(half-bridge) 제품군 MOTIX™ BTN99xx(NovalithIC™+)를 출시한다고 밝혔다.  BTN99xx는 단일 패키지에 p-채널 상측(high-side) 및 n-채널 하측(low-side) MOSFET과 스마트 드라이버 IC를 통합했다.

High power density, optimized performance, and ease of use are key requirements when designing modern power systems. To offer practical solutions for design challenges in end applications, Infineon Technologies launches the new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs.

인피니언 테크놀로지스는 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET을 새롭게 출시한다고 밝혔다. PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공되는 이 제품은 MOSFET 성능에 있어서 새로운 기준을 제시하며, 더 높은 효율, 더 높은 전력 밀도, 더 우수한 열 관리 및 낮은 BOM(bill of material)을 제공한다.

±1%의 허용 오차만을 가진 BZT52H-A(SOD123F) 및 BZX384-A(SOD323) 제품들은 B(±2%) 및 C(±5%) 제품군에 비해 더 높은 정밀 전압 기준을 제공한다.

텍사스 인스트루먼트(TI)는 모터 구동 소프트웨어가 불필요한 사다리꼴 제어 및 자속기준제어 (FOC)를 사용한 업계 최초의 70W BLDC 모터 드라이버 제품을 출시한다고 밝혔다.

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다.

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 열 패드를 통합한 새로운 24V 듀얼-채널 하측 (low side) 게이트 드라이버 EiceDRIVER 제품군을 출시한다고 밝혔다.