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    넥스페리아, 프리미어급 SiC MOSFET 출시.. 미쯔비시와 파트너십

    이 SiC MOSFET은 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위에서도 RDSon의 공칭 값이 단지 38%만 증가하는 온도 안정성을 제공한다

    미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

    넥스페리아가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

    ST마이크로일렉트로닉스, 고효율 전력 설계 지원 50W GaN 컨버터 출시

    ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최대 50W의 단일 스위치 플라이백 컨버터 구현을 간소화하고, 650V GaN(Gallium-Nitride) 전력 트랜지스터를 통합해 탁월한 에너지 효율과 소형화를 지원하는 VIPerGaN50을 출시했다

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