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    비쉐이, 3세대 1200V SiC 쇼트키 다이오드 출시

    반도체 및 전자부품 전문기업 비쉐이가 16개의 새로운 3세대 1200V SiC 쇼트키 다이오드를 출시했다

    미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

    넥스페리아가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

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