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넥스페리아, 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자 발표

우청 기자 -
넥스페리아의 CCPAK1212i 상단 냉각 패키지의 33mΩ(통상) 질화갈륨(GaN) FET인 GAN039-650NTB는 와이드 밴드갭 반도체 및 구리 클립 패키징의 새로운 시대를 열었다.

TI, 업계 최초 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈 출시

은주 박 -

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