목요일, 3월 6, 2025

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TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사능 내성(radiation-tolerant) 및 방사능 경화(radiation-hardened)기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 (GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다

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