전력 반도체 수요에 부응하고 질화 갈륨 (GaN) 소자 생산 늘려

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 작년에 이어 올해에도 제조 역량 강화 및 연구 개발(R&D)에 대규모의 글로벌 투자를 단행한다. 이러한 계획은 작년에 넥스페리아의 모회사인 윙텍 테크놀로지가 상하이 링앙에 새로운 300mm(12인치) 전력 반도체 웨이퍼 팹 건설에 120억 위안(18억 5천만 달러)을 투자한 데 이은 조치이다. 2022년에 가동을 시작할 이 공장은 연간 400,000장의 웨이퍼를 생산할 예정이다.

넥스페리아는 올해에 생산 효율성을 개선하고 독일 함부르크와 영국의 맨체스터의 유럽 웨이퍼 팹에서 새로운 200mm 기술을 구현할 계획이다. 함부르크 팹에서는 와이드 밴드 갭 반도체 제조를 위한 새로운 기술에 대해 추가 투자가 단행된다.

총 매출 약 9% 범위의 R&D 분야로의 투자는 신제품 개발로 이어진다. 넥스페리아는 최근 말레이시아 페낭과 중국 상하이에 새로운 글로벌 R&D 센터를 개설하고 홍콩, 함부르크, 맨체스터에 있는 기존의 R&D 시설을 확대했다. 한편 중국 광둥의 넥스페리아 공장, 말레이시아의 세렘반, 필리핀의 카부야오 공장에서는 최신 자동화 시설 증대 및 시스템 패키지(SIP) 기능 구현을 포함한 테스트 및 조립 시설 강화 등에 투자가 이어질 예정이다.

“차량 전동화, 5G 통신, 인더스트리 4.0 의 증가 및 질화 갈륨 기반 설계의 본격적인 채택은 모두 2021 년 이후 전력 반도체에 대한 수요 증가를 촉진할 것”이라고 언급한 넥스페리아의 최고 운영 책임자인 아킴 켐프(Achim Kempe)는 “당사는 이미 연간 900억 개 이상의 반도체를 출하하는 가장 큰 업체이다. 향후에도 추가적인 글로벌 투자를 통해 미래의 수요에 대응하는 대량 생산에 필요한 기술과 제조 능력을 지속적으로 늘릴 계획이다.”라고 설명했다.

윙텍과 넥스페리아의 CEO 인 쉬에정 장(윙)은 “윙텍은 2019년에 넥스페리아를 인수한 이후 야심찬 성장 계획을 지원하고 두 업체 간의 시너지 효과를 활용하기 위해 지속적으로 투자를 해오고 있다. 당사는 지난 해에 새로운 300mm 팹을 발표하고 페낭과 상하이에 디자인 센터를 개설한 데 이어 전 세계의 시설의 지속적인 투자를 통해 업계에서 위상과 시장 점유율을 높이는 성장을 계속할 것이다.”라고 말했다.

더 자세한 정보는 www.nexperia.com/about을 참고하면 된다.