2024년 9월 20일
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전력손실 절반으로 줄인다.. TI GaN IPM 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 업계 최초로 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 650V 3상 질화 갈륨(GaN) IPM을 출시했다

TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

오승모 기자 -
TI는 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공하도록 지원하는 새로운 전력 변환 장치를 공개했다

인텔, 미래 반도체 공정 혁신에 나서다.. 차세대 트랜지스터 확장 기술 발표

오승모 기자 -
인텔은 전자소자학회(IEDM)에서 인텔의 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했다.

TI GaN 기술, 라이트온 테크놀로지 서버 전원 공급 설계에 적용

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 라이트온 테크놀로지가 북미 시장을 위한 최신 고성능 서버 전원 공급 장치(PSU)에 TI의 고집적 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 C2000 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)를 채택했다고 발표했다.

넥스페리아, 교세라와 자동차용 GaN 전원모듈 사업 협력나서

오윤경 기자 -
넥스페리아(Nexperia)가 자동차 산업에 첨단 전자 부품을 선도적으로 공급하는 교세라(KYOCERA) AVX와 자동차용 GaN(질화 갈륨) 전력 모듈에 관한 포괄적 파트너쉽을 발표했다.

NXP, 5G 커버리지 확장을 위한 매시브 MIMO용 RF 파워 트랜지스터 제품군 출시

오윤경 기자 -

나노코리아 2021, 노벨 물리학상 수상자 등 세계 석학 강연 진행

오윤경 기자 -

넥스페리아, 80 PLUS Titanium 클래스 파워 서플라이용 650V GaN FET 공급

오승모 기자 -
넥스페리아는 기존 기술 대비 향상된 성능을 제공하는 자사의 2세대 650V 전원 질화 갈륨(GaN) FET 소자 제품군의 대량 공급을 개시했다

넥스페리아, 글로벌 생산 및 R&D에 대대적으로 투자

우청 기자 -
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 작년에 이어 올해에도 제조 역량 강화 및 연구 개발(R&D)에 대규모의 글로벌 투자를 단행한다.

NXP, 미 애리조나에 자체 RF GaN 팹 오픈

오승모 기자 -

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