넥스페리아, 초소형 웨이퍼 레벨 12, 30V MOSFET 출시

공간이 제한된 애플리케이션에서 전력을 절약하고 열 관리를 간소화해

넥스페리아(Nexperia)가 공간이 부족하고 배터리 사용 시간이 중요한 곳에서 에너지를 더 많이 사용하도록 초소형 웨이퍼 레벨 DSN1006 패키지에 시장을 선도하는 R_DS(on)가 포함된 PMCB60XN 및 PMCB60XNE 30V N 채널 소형 신호 트렌치 MOSFET 제품들을 출시했다.

이 제품들의 R_DS(on)는 경쟁 소자들보다 최대 25% 우수하므로 에너지 손실을 최소화하고 부하 스위칭 및 배터리 관리 효율성을 높여준다. 뛰어난 성능은 자체 발열을 줄여 웨어러블 장치에서 사용자의 편리성을 향상시킨다.

따라서 스마트폰, 스마트 시계, 보청기 및 이어폰 등 고도로 소형화된 전자 제품에 이상적인 이 MOSFET제품들은 시스템 전력 수요를 증가시키는 여러가지 다양한 지능형 기능이 추가되는 추세를 지원한다.

특히, PMCB60XN 및 PMCB60XNE은 VGS = 4.5V에서 각각 50mΩ 및 55mΩ의 최대 R_DS(on)값을 갖는다. 이는 관련 시장에 나와 있는 유사한 30V MOSFET들 중 가장 낮은 온 저항을 자랑한다. 초소형 1.0mm × 0.6mm x 0.2mm 크기의 DSN1006 패키지로 제공되는 PMCB60XNE은 2kV(인체 모델 – HBM) 정격의 ESD 보호 기능을 집적시켰다. 두 MOSFET 제품 모두 최대 4A의 드레인 전류로 정격화되어 있다.

넥스페리아는 DSN1006패키지의 이 두 MOSFET 제품 외에도 DSN1010 패키지의 12V, N 채널 트렌치 MOSFET인 PMCA14UN을 출시했다. VGS = 4.5V에서 16mΩ의 최대 R_DS(on)값을 제공하는 PMCA14UN은 0.96mm × 0.96mm × 0.24mm(SOT8007) 패키지 크기로 시장을 선도하는 효율을 제공한다.