부품 수와 폼 팩터를 줄이고 시스템 비용을 감소시키는 전력 질화 갈륨 솔루션
넥스페리아(지사장 김영택)는 자사의 2 세대 650V 전원 질화 갈륨 (GaN) FET 소자 제품군의 대량 공급을 개시한다고 밝혔다.
이 전력 질화 갈륨 FET는 RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮췄다. 2kW에서 10kW까지 이르는 단상 AC/DC 및 DC/DC 산업용 전환 모드 전원 공급 장치(SMPS)는 물론, 특히 80PLUS® Titanium 효율 규정을 충족해야 하는 서버 및 통신 관련 제품에 적용이 기대된다. 또한 동일한 전력 범위에서 태양광 인버터 및 서보 드라이브에도 적합하다는 것이 회사측의 설명이다.
이 소자들의 다단 증폭용 캐스코드 구성은 복잡한 드라이버의 필요성을 없애고 출시 시간도 단축한다. 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 구성 모두에서 뛰어난 성능을 제공해 엔지니어들에게 최대의 제품 설계 유연성을 제공한다.
Titanium은 80PLUS® 사양 중 가장 까다로운 내용으로 전체 부하 조건에서 91%이상의 효율을, 50% 부하 조건에서 96% 이상의 효율을 요구하는 것으로 알려졌다.
넥스페리아의 질화 갈륨 전략 마케팅 책임자인 딜더 초드리(Dilder Chowdhury)는 “2kW 이상 작동 조건의 서버 전원 제품을 필요로 하는 분야에서 기존의 실리콘 소자를 사용해 이러한 수준의 성능을 달성하는 것은 복잡하고 어려운 일”이라고 설명하고, “당사의 전력 질화 갈륨 FET는 더 적은 부품을 사용해 물리적 크기와 비용을 모두 줄이는 제품 구성에 매우 이상적”이라고 말했다.
