2024년 4월 20일

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미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

넥스페리아가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

인피니언, 세계 최대 규모 200mm SiC 파워 팹 말레이시아 건설

전력 시스템 분야의 선도 기업인 인피니언 테크놀로지스는 말레이시아 쿨림 공장의 투자 계획을 확대하여 세계 최대 규모의 200mm SiC(실리콘 카바이드) 파워 팹을 건설한다

온세미, 반도체에서 ‘지속가능한 생태계를 향한 여정 가속화’ 방안 제시

온세미(Onsemi)는 미국 뉴욕에서 ‘지속 가능한 생태계를 향한 여정의 가속화’라는 주제로 애널리스트 데이(Analyst Day)를 개최했다고 밝혔다.

인피니언, 전기차 인버터용 HybridPACK™ Drive G2 전력 모듈 출시

인피니언은 자사의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET을 채택한 고성능 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시했다.

넥스페리아, 650V SiC 쇼트키 카바이드 다이오드 출시

이 제품은 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 무정전 전원 공급 장치 및 태양광 인버터 등이 보다 지속 가능하게 운용되도록 작동한다.

온세미, 4분기 21억 360만 달러 매출 달성.. 전년 동기 대비 14% 성장

온세미는 지난 4분기 21억 360억 달러 매출을 달성했으며, 연간 기준 매출 83억 달러로 예상치를 상회했다. 이는 각각 전년 동기 대비 14%, 24% 성장한 수치다.

ST마이크로일렉트로닉스, SiC 전력 모듈 발표.. 전기자동차 성능 및 주행거리 향상

ST가 전기자동차의 성능과 주행거리를 향상시키는 SiC 기반 고전력 모듈을 출시했다. ST의 이 새로운 SiC 전력 모듈은 기아 EV6 모델에서 사용되는 현대자동차의 E-GMP 전기차 플랫폼에 채택됐다.

ST마이크로일렉트로닉스, 통합 SiC 기판 제조시설 이탈리아에 구축

자동차 및 산업용 애플리케이션 전반에 증가하는 SiC 디바이스에 대한 수요 지원 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 통합 실리콘 카바이드(SiC: Silicon Carbide) 기판 제조시설을 이탈리아에 구축한다고 발표했다. ST...

온세미, 체코 SiC 공장 확장으로 웨이퍼 생산 능력 16배 확대한다

2019년부터 온세미는 로주노프에서 기존 폴리시드 실리콘, 에피택시(EPI) 웨이퍼 및 다이 제조공정에 SiC 폴리시드 웨이퍼와 SiC 에피택시 웨이퍼 생산을 추가했다.

ACM 리서치, 실리콘 웨이퍼 기판 제작용 포스트 CMP 세정 장비 출시

반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 위한 웨이퍼 처리 솔루션 전문 기업인 ACM 리서치(ACM Research)가 새로운 포스트 CMP 장비를 출시한다

온세미, 미 뉴햄프셔의 SiC 생산 시설 확장 준공식 개최

온세미, SiC(Silicon Carbide) 용량 전년 대비 5배 증가 온세미는 8월 11일(현지시각) 미국 뉴햄프셔 허드슨에 있는 실리콘 카바이드(SiC) 시설의 준공을 기념하는 리본 커팅식을 개최했다. 이 시설은 온세미의...

ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스에 신규 300mm 제조시설 구축.. 글로벌파운드리와 공동운영

ST마이크로 일렉트로닉스는 반도체 제조 분야의 글로벌 선도회사인 글로벌파운드리와 프랑스 크롤에 위치한 ST의 기존 300mm 공장 인근에 새로운 300mm 반도체 제조시설을 구축하고 공동 운영키로 했다

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