인피니언 차세대 칩 기술 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET 채택
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET을 채택한 고성능 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시했다.
인피니언의 HybridPACK Drive는 다양한 글로벌 전기차 플랫폼으로 현재까지 약 3백만 개의 판매 실적을 달성했다. 2017년 1세대(G1) 제품이 출시된 이후, 2021년에는 HybridPACK Drive Automotive CoolSiC MOSFET 제품군으로 확장되었다.
인피니언의 HybridPACK Drive G2는 고집적 B6 패키지의 HybridPACK Drive G1을 기반으로 했다. 그럼에도 동일한 풋프린트로 확장성을 제공하고 더 높은 전력대와 사용 편의성을 제공한다. HybridPACK Drive G2는 다양한 전류 정격과 전압(750V와 1200V)으로 제공된다.
회사측은 “HybridPACK Drive G2는 750V 및 1200V 전압대로 최대 300kW의 전력을 제공하며, 사용 편의성을 높이고 새로운 기능을 추가했다.”고 밝혔다. 예를들어 차세대 위상 전류 센서와 온칩 온도 센싱 등의 옵션을 통합해 시스템 비용을 낮출 수 있다.
또한 새로운 인터커넥트 기술(chip sintering)과 새로운 블랙 플라스틱 하우징 채택으로 더 높은 온도 범위를 제공한다.
아이씨엔매거진
