마우저 일렉트로닉스가 TI(텍사스 인스트루먼트)의 600V, 70mΩ, GaN(질화갈륨) 소재의 전력단 LMG3410R070을 공급한다고 밝혔다. 초저 입력 및 출력 정전용량을 갖춘 LMG3410R070은 산업 및 소비재 전원 장치 등 고밀도 전동기 애플리케이션의 새로운 요구사항을 지원한다. 고성능 GaN 전력단으로, 실리콘 트랜지스터보다 높은 전류, 온도, 전압, 스위칭 주파수를 지원하며, 스위칭 손실은 최대 80% 감소한다.

TI의 LMG3410R070 GaN 전력단은 게이트 드라이버가 집적되었고 뛰어난 보호 성능을 바탕으로 실리콘 MOSFET 및 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)보다 향상된 성능을 제공한다. 이 장치는 공통 소스 유도용량이 영(0)이며, 사용자가 조정할 수 있는 슬루율 25~100V/ns, MHz 작동 시 전파 지연 시간이 20ns이다. 150V/ns 이상의 슬루율 내성으로 과전류 보호, 과온도 보호, 과도적 과전압 내성뿐만 아니라 모든 공급 레일에서 과전압 차단 보호 같은 기능도 제공한다. 소형, 8 × 8mm QFN 패키지로 생산되는 LMG3410R070 전력단은 보호용 외부 부품이 필요하지 않아 간소하게 설계하고 레이아웃을 설정할 수 있다.

TI의 GaN 전력단 LMG3410R070
TI의 GaN 전력단
MG3410R070

강력한 성능을 제공하는 LMG3410R070은 KEMET이 생산하는 표면 실장형 커패시터 KC-LINK와 함께 사용하기에 적합하다. TI의 LMG3410R070 IC처럼 고속 스위칭 반도체의 수요를 충족하기 위해 설계된 KC-LINK 커패시터는 초저 유효 직렬 저항과 열 저항 성능을 갖춰 고주파, 고전압 DC 링크 애플리케이션의 응력을 견딜 수 있다.

TI의 LMG3410R070 GaN 전력단과 KEMET의 KC-LINK 커패시터를 함께 사용해서 GaN 전원 솔루션을 최대화하는 방법에 대해서는 여기(링크)에서 확인할 수 있다.

오윤경 기자 news@icnweb.co.kr

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