하니웰(Honeywell)이 반도체 생산을 위해 특허 기술을 기반으로 고객에게 강도와 성능을 높이고, 제품 수명을 연장시킨 ‘구리망간(CuMn) 스퍼터링 타겟(sputtering targets)’을 국내시장에 선보인다.
세미콘코리아 2014 전시회 마지막날인 14일 하니웰은 기자간담회를 열고, 데이비드 딕스(David Diggs) 하니웰 일렉트로닉 머티리얼즈(HEM) 부사장이 참석한 가운데 스퍼터링 타겟을 국내 진천공장에서 생산하여 국내외 시장에 공급을 시작했다고 설명했다.
이번에 발표한 스퍼터링 타겟은 하니웰의 ECAE(등통로각 압출: Equal Channel Angular Extrusion) 공정 기술을 기반으로 한다. ECAE 공정 기술은 하니웰이 원래 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금용으로 개발한 첨단 제조 공정이다.
스퍼터링은 반도체 백엔드 공정에 사용되며, 진공챔버에 반도체 기판을 두고 플라즈마로 챔버내에 스파크를 일으켜 메탈을 웨이퍼 위에 떨어뜨려 전기배선을 만들어주는 기술이다.
ECAE공정 기술로 처리된 타겟은 입자 크기가 극도로 미세하여, 미세구조는 강한 동질성을 띄고, 기계적 강도는 높아지며, 입자는 줄어드는 결과를 낳는다. 표준 타겟용 입자 크기는 대략 50-80마이크론(micron) 사이지만, 새로운 ECAE구리망간 타겟은 1마이크론(micron) 미만의 초미세한 입자 크기를 보여준다. 이 기술이 만들어낸 미세한 입자구조는 반도체 제조업체가 일반 본딩된(bonded) 타겟을 사용할 경우 플라즈마가 떨어져 나가는 현상을 방지해준다. 이 현상은 아크와 입자를 만들어내고, 웨이퍼 폐기 및 타겟 교체를 야기시키는데, 이 모든 것은 불필요한 비용을 발생시키는 결과를 가져온다.
데이비드 딕 하니웰 일렉트로닉 머티리얼즈 부사장은 올해 국내 반도체 시장이 기대된다고 밝히고, “식스나인(99.9999%)의 순도 이상을 보장하는 제품”으로 “타겟의 강도가 높아진 덕분에 동일한 금속으로 타겟 전체를 만들 수 있어 버려지는 부분없이 최대의 사용효율을 낼 수 있다.”고 강조했다. 참조. 하니웰 웹사이트: www.honeywell-pmt.com/sm/em/
아이씨엔 오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr
