IIoT 기술 매거진 - 아이씨엔
Home » Tag Archives: FET

Tag Archives: FET

인피니언, OptiMOS Linear FET 출시

인피니언, 낮은 RDS(on)과 넓은 안전 동작 영역(SOA)을 제공하는 OptiMOS™ Linear FET 출시

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 OptiMOS™ Linear FET 시리즈를 출시했다. 새로운 제품군은 trench MOSFET의 탁월한 온상태 저항(RDS(on))과 planar MOSFET의 넓은 안전 동작 영역(SOA, Safe Operating Area)을 결합하여, RDS(on)과 선형 모드 기능 사이의 트레이드오프를 해결한다. OptiMOS Linear FET는 인핸스먼트 방식 MOSFET의 포화 영역에서 동작할 수 있다. OptiMOS Linear FET 시리즈는 텔레콤 및 배터리 관리 시스템(BMS)에 많이 사용되는 핫스왑, e퓨즈 및 보호 애플리케이션에 적합이다. 디바이스의 견고한 선형 모드 동작과 높은 펄스 전류는 낮은 전도 손실, 더욱 빠른 스타트업을 달성하면서 다운타임을 감소시키며, 단락 회로가 존재할 경우 높은 돌입전류를 제한하여 부하에 발생할 수 있는 손상을 방지한다.  

전체 기사 보기 »

ST 고전압 전력 컨버터, 스마트 홈 & 빌딩 분야 에너지 절감한다

Si838x PLC 필드 입력 아이솔레이터 제품군

고전압 전력 컨버터를 통해 스마트 홈, 빌딩, 조명, 모션 컨트롤 등 저전력 애플리케이션에서 에너지 절감에 유용한 고전압 전력 컨버터를 출시했다. 다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에게 기여하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 새로운 고전압 전력 컨버터 VIPER01을 출시한다고 밝혔다. 5V 출력 전압으로 초저전력 소모의 간단하고 비용 효율적인 SMPS(Switched-Mode Power Supply) 설계가 가능하다. VIPPER01은은 800V의 뛰어난 애벌런치 전력 MOSFET으로 폭넓은 VAC 입력 범위를 제공하며, 임베디드 HV 스타트-업 및 센스-FET, 전류 모드 PWM 컨트롤러, 드레인 전류 제한 보호, 4.5V ~ 30V의 폭넓은 공급전압 범위를 비롯해서 자가-전원공급(self-supply) 옵션으로 보조 권선 및 바이어스 부품이 필요없다. VIPPER01은 소형 산업용/컨슈머 애플리케이션뿐만 아니라 가전, 빌딩, 조명, 모션 컨트롤 등 저전력 애플리케이션 전반에 이상적으로 고안됐다. 메인 정류 전원장치에서 직접 동작이 가능하고, 800V의 뛰어난 애벌런치(avalanche-rugged) 파워 MOSFET과 PWM(Pulse-Width Modulation) ...

전체 기사 보기 »

TI, 고전력 리듐이온 배터리용 단일칩 하이사이드 FET 드라이버 출시

TI, 업계 최초의 100V 하이사이드 FET 드라이버로 고전압 배터리 구동

첨단 산업용 배터리 애플리케이션을 위한 새로운 차원의 유연성과 전원 보호 기능 제공 TI (대표이사 켄트 전)는 고전력 리튬 이온 배터리 애플리케이션을 위해 업계 최초의 단일 칩 100V 하이사이드 FET 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 첨단 전원 보호 및 제어 기능을 제공하는 이 새로운 bq76200 고전압 솔루션은 드론 및 전동 툴, 전기 자전거 등을 비롯한 에너지 스토리지 시스템 및 모터 구동 애플리케이션에 많이 사용되는 배터리에서 하이사이드 N 채널 충전 및 방전 FET를 효율적으로 구동한다. 100V 하이사이드 FET 드라이버는 모터 구동 애플리케이션에서 배터리 전압이 정상 상태보다 무려 200% 이상 급격히 상승할 수 있는 유도성 과도현상이 발생할 때, 일반적인 50V 로우사이드 FET 드라이버 솔루션 보다 더 강력한 보호 기능을 제공한다. 또한 bq76200은 충전 및 방전 상태가 아닌 경우에도 지속적인 배터리 모니터링과 향상된 시스템 진단을 유지한다. ...

전체 기사 보기 »

TI, 업계 최초 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈 출시

TI코리아(대표 켄트 전)는 업계 최초로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET(Field-effect Transistor) 전력단 프로토타입을 출시했다고 밝혔다. 새롭게 선보인 전력단은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다. 새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계 공간이 제한적인 고주파 산업 및 통신 애플리케이션에 한층 증가된 전력 밀도와 효율을 제공하는 차세대 GaN 전력 변환 솔루션 채택을 가속화하는데 기여할 것으로 보인다. 이 전력단은 3월 16일부터 18일까지 미국 노스캐롤라이나주 샬롯에서 진행 중인 APEC(Applied Power Electronics Conference, 부스 #1001)에서 48V 디지털 파워 데모의 일부로 소개되고 있다. 자세한 정보는 www.ti.com/APEC15 참조. TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 ...

전체 기사 보기 »

오토모티브 기능 안전에 전원관리 및 CAN 인터페이스를 통합하다

TI, 오토모티브기능세이프티애플리케이션용모터드라이버제품군출시 TI코리아(대표이사켄트전)는 ISO 26262 표준기능세이프티요건을충족하고오토모티브애플리케이션설계를지원하는업계최초의오토모티브모터드라이버제품군을출시했다고밝혔다. 새로운 3종의디바이스로구성된 DRV32xx-Q1 제품군은진단기능을통합한 4개의 3페이즈브러시리스프리 FET(pre-FET) 모터드라이버를포함한다. DRV3202-Q1은전원관리와 CAN 인터페이스를통합하여세이프티중심 애플리케이션설계의보드공간을절약하고설계복잡성을낮춘다. DRV3203-Q1 및 DRV3204-Q1은 ASIL-B를충족하는세이프티애플리케이션설계를 지원한다. 2012년 10월에출시된 DRV3201-Q1은 ASIL-D 요건을충족하는세이프티애플리케이션설계를도와준다. TI코리아는 “최신 3종모터드라이버는공간제약에따른과제들을해결하고고온, 저전압스타트–스탑(start-stop), 콜드크랭크조건등혹독한조건을견딜수있는뛰어난안정성을겸비한공간절약형솔루션을제공한다.”며“특히파워스티어링, HEV/EV, 파워트레인, 오일펌프, 워터펌프, 전동브레이크시스템과같은애플리케이션에적합하다.”고밝혔다. 아이씨엔 오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr         Online TIPs   DRV32xx-Q1   제품군의주요기능및장점 비용 및 크기에 민감한 애플리케이션을 위한 부품 수 및 보드 공간 최적화: DRV3202-Q1은 전압 레귤레이터와 CAN 인터페이스를 통합해 부품 수를 줄이고 시스템 비용과 보드 공간을 최소화한다. 진단 기능 내장: DRV32xx-Q1 제품군은 프리 FET 드라이버 쇼트, 과전압/저전압, 과열을 보호하기 위한 하드와이어(hard-wired) 진단 회로를 통합하고 있다. 시스템 마이크로컨트롤러가 DRV32xx-Q1 제품과 신속하게 통신하고 SPI(serial peripheral interface)를 통해서 내부 상태를 모니터링한다. ISO 26262 표준   기능 세이프티 요건을 충족하는 애플리케이션 설계 가능: ...

전체 기사 보기 »
hilscher