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스마트자동차

커넥티드자동차를 위한 인포테인먼트 멀티미디어 네트워크

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valens HDBaseT automotive 이미지 (이미지. 발렌스)

ST, CES 2018에서 커넥티드 카 인포테인먼트 솔루션 출시

커넥티드자동차에서 인포테인먼트는 이제 핵심 요소가 됐다. 커넥티드 및 자율주행 자동차와 관련해 최상의 기술과 사용자 경험을 바라는 소비자의 기대치는 날로 증가하고 있기 때문이다. 운전자와 탑승자가 바라는 차량 경험을 제공할 수 있는지 여부가 주요 경쟁력이다.

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 지난 CES 2018에서 시네모(Cinemo), 발렌스(Valens)와 함께 차량용 인포테인먼트 멀티미디어 시스템을 새롭게 선보였다. 이 시스템은 시네모의 차량용 미디어 분배 시스템인 디스트리뷰티드 플레이백(Distributed Playback™)과, ST의 자동차용 인포테인먼트 프로세서인 아코도5(Accordo5) 및 텔레매틱스 프로세서인 텔레마코3P(Telemaco3P)로 구동되는 발렌스의 HDBaseT 오토모티브 기술로 구성됐다.

발렌스는 HDBaseT를 처음 개발하고 HDBaseT 얼라이언스를 주도해 설립한 회사로, HDBaseT 기반 자동차 상용화를 위한 기술과 노하우를 제공하고 있다. 발렌스의 HDBaseT 오토모티브 기술은 최대 15미터의 단일 UTP(Unshielded Twisted Pair) 케이블로 고해상 비디오와 오디오를 동시에 전송하고 이더넷 및 제어를 처리할 수 있어 커넥티비티를 간소화하고 까다로운 EMC 환경에서도 성능을 보장한다. 제로 레이턴시에 가까운 성능으로 6Gbps의 풀 듀플렉스 통신이 가능하다. 또한 자동차 센서 및 주변 환경의 추가 데이터를 이용해 주차 장소, 호텔 및 레스토랑 예약, 교통 정보와 같은 정보를 디스플레이에 투영할 수도 있다.

HDBaseT 오토모티브 구성 방안 (이미지. HDBaseT  얼라이언스)

미하 리슬링(Micha Risling) 발렌스 오토모티브사업부 총괄책임자 겸 수석부사장은 “자동차가 커넥티드 생활의 일부로 자리잡으면서, 운전자와 승객들에게 특히 인포테인먼트 및 텔레매틱스와 관련하여 더욱 훌륭한 차량 경험을 보장할 수 있어야 한다. HDBaseT 오토모티브는 우수한 성능, 낮은 대기시간, 아키텍처 유연성과 같이 커넥티드 카 및 자율주행차의 데이터 전송을 구성할 때 가장 중요한 요건들을 모두 갖추어 고효율의 커넥티비티를 구현한다”고 말했다. 또한 ST 및 시네모와의 협력을 통해 발렌스의 HDBaseT 오토모티브 기술이 적용된 여러 애플리케이션 중 하나인 최상의 차량 인포테인먼트 솔루션을 시연하게 됐다고 밝혔다.

이스라엘 스타트업인 발렌스는 지난해 4월 삼성전자가 미국 실리콘밸리에 있는 삼성촉진펀드를 통해 6000만 달러(약 680억원) 스타트업 펀드 기금을 투자키로 발표해 주목받았다. 투자에는 삼성촉진펀드 외에 골드만삭스, 델파이, 미디어텍 등도 함께 투자에 참여했다. 삼성은 이를 통해 이전에 인수한 하만의 스마트자동차용 인포테인먼트에 발렌스의 지능형 네트워크 반도체칩을 결합하게 될 것으로 기대받고 있다.

HDBaseT 얼라이언스는 LG, 삼성, 소니, 발렌스를 최고 기관인 보드멤버로 2010년 설립됐다. HDBaseT는 오토모티브, 오디오비주얼, 인더스트리얼, 컨슈머 등의 카테고리를 두고 적용분야별 기술 과 표준 개발에 나서고 있다.

valens HDBaseT automotive 이미지 (이미지. 발렌스)

발렌스의 HDBaseT 오토모티브 칩셋과 결합된 시네모의 디스트리뷰티드 플레이백은 ST의 인포테인먼트 프로세서인 아코도5와 텔레매틱스 프로세서인 텔레마코3P로 구동된다. 아코도5는 인포테인먼트에 비용 최적화된 프로세서 솔루션이며 텔레마코3P는 안전한 인터넷 및 와이파이 접속을 위한 자동차용 보안 프로세서이다. HDBaseT 오토모티브는 차량의 스마트 안테나(Smart Antenna)를 중앙 장치 처리를 위해 연결한다.

파비오 마끼오(Fabio Marchio) ST 오토모티브 및 디스크리트 제품 그룹의 마이크로 및 인포테인먼트 사업부 사업본부장은 “이제 자동차 운전자와 탑승자가 제조사에 바라는 것은 텔레매틱스, 인포테인먼트, 차량 성능의 우수함과 함께 최상의 안전과 보안을 제공받는 것이며, 발렌스의 HDBaseT 연결 기술 및 시네모의 미디어 분배 시스템과 함께 ST의 첨단 인포테인먼트 프로세서 아코도5 및 텔레매틱스 프로세서 텔레마코3P를 사용하여 현재 우리가 공급하는 기술을 더욱 효과적으로 부각시킬 수 있게 됐다”고 말했다.

아이씨엔 오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr

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넥스페리아, 자동화 검사가 가능한 소형 Leadless 패키지 MOSFET 신제품 발표

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Nexperia 175°C AEC-Q101 MOSFETs

디스크리트, 로직 및 MOSFET 디바이스 분야의 글로벌 리더인 넥스페리아 (Nexperia)는 업계 최초로 최대 175°C에서 사용이 가능하고, AOI- 호환 DFN2020 패키지(DFN = Discrete Flat No leads)로 제공되는 AEC-Q101 인증 MOSFET을 발표했다. 이 신제품은 크기가 불과 2mm x 2mm로, SOT223이나 SO8 패키지보다 훨씬 작고 가벼우면서도 비슷한 전기적 및 열 성능을 제공하는 것이 특징이다.

Nexperia 175°C AEC-Q101 MOSFETs

Nexperia 175°C AEC-Q101 MOSFETs

많은 leadless 패키지는 AOI 기술을 이용해 검사할 수 없다. 따라서 넥스페리아는 SWF(side-wettable flanks) 구조의 DFN2020 패키지의 개발을 주도하여 자동차 산업의 핵심 요구 사항인 자동 광학 검사(AOI)를 가능하게 했다. 현재 SWF구조가 포함된 패키지는 업계에서 검증되고 널리 인정받고 있는 솔루션이다.

넥스페리아의 S-MOS(small signal MOSFET) 담당 제품 매니저, 말트 스트럭(Malte Struck)은 “SWF구조의 DFN 패키지는 공간을 절약하고 자동 검사가 가능하기 때문에 자동차 제조업체들로부터 많은 호응을 얻고 있다. 이번에 선보인 새로운 175°C 부품은 특히 엔진 또는 기어 박스 근처의 엔진룸 애플리케이션에 사용된다. 175°C에 적합하고 SWF를 통합한 이 혁신적인 자동차 등급 MOSFET 제품을 통해 앞으로 DFN2020 패키지 제품이 더욱 다양한 중전력(Medium-power) 자동차 애플리케이션에도 사용될 것으로 기대된다”고 말했다.

넥스페리아는 새로운 자동차 인증 부품들을 추가하면서 저중전력 (Low & Medium-power) MOSFET 포트폴리오를 더욱 확대했다. 더욱 높은 온도 스펙과 자동차 승인을 갖춘 6 개의 40V 및 60V 디바이스가 출시되어 있으며, 이들 제품은 각각 20mΩ과 40mΩ 사이의 낮은 RDS(on)를 제공한다.

제품 스펙 및 데이터 시트를 포함한 새로운 DFN2020 MOSFET(BUKxxx)에 대한 자세한 내용은 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/DFN2020-Automotive-MOSFETs.html 참조.

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스마트자동차

ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스 레티와 전력변환용 GaN-온-실리콘 기술 개발 협력

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ST logo

진화된 파워 GaN-on-Si 다이오드 및 트랜지스터 아키텍처 개발 및 상용화 위한 협력

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소 레티(이하 CEA-Leti)와 파워 스위칭 디바이스용 GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다. 이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드 충전기, 무선 충전, 서버를 비롯해 고효율, 고전력 애플리케이션을 지원할 수 있게 된다.

광폭 밴드갭 반도체 소재인 GaN 디바이스는 실리콘 같은 기존 반도체 소재보다 더 높은 전압, 주파수, 온도에서도 작동이 가능하다. ST는 이외에도 SiC(silicon carbide)과 RF Gallium Nitride(GaN) 등 두 개의 광폭 밴드갭 기술을 개발하고 있다.

레티는 CEA 테크 산하 기술 연구소로서 스마트하고 에너지 효율이 좋은 안전한 솔루션을 구현하는 산업을 위한 미니어처 기술의 세계적인 리더이다. 1967년 설립된 레티는 마이크로&나노기술을 개척하여 글로벌 기업, 중소 기업 및 스타트업들을 위해 적용 가능한 솔루션들을 차별화해 맞춤형으로 제공해 왔다. 헬스케어, 에너지, 디지털 마이그레이션 분야의 핵심 과제들을 해결해 왔으며, 센서에서 데이터 처리 및 컴퓨팅 솔루션에 이르기까지 다양하게 훈련된 팀들을 통해 세계 정상급의 산업화 설비를 활용하여 안정적인 전문성을 제공하고 있다

이번 양사의 협업은 200mm 웨이퍼 상에서 첨단 GaN-on-Si 다이오드와 트랜지스터 구조를 개발하고 검증하는 데 중점을 둔다. 시장조사업체 IHS 마킷(IHS Markit)은 이 시장이 2019년부터 2024년까지 CAGR(연평균 성장률)이 20%를 넘을 것으로 예상하고 있다. ST는 레티와 함께 IRT 나노일렉의 프레임워크 내에서 레티의 200mm R&D 라인을 이용해 공정 기술을 개발하고, 2019년에 엔지니어링 샘플을 검증할 계획이다.

이와 동시에 ST는 2020년 프랑스 투르(Tours)에 위치한 전공정 웨이퍼 팹(Front-End Wafer Fab)에서 초도 생산을 진행할 수 있도록 GaN/Si 헤테로 에피택시(hetero-epitaxy) 공정을 포함한 완전한 제조라인을 구축할 예정이다.

또한 파워 애플리케이션에서 GaN-on-Si 기술이 지닌 잠재력을 감안해 레티와 ST는 고전력-밀도 의 파워 모듈 조립시 디바이스 패키징을 개선해주는 첨단 기법들을 연구하고 있다.

마르코 몬티(Marco Monti) ST오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장은 “ST는 광폭 밴드갭(Wide-Bandgap) 반도체가 지닌 엄청난 가치를 인지하면서, 파워 GaN-on-Si의 제조 및 패키징 기술을 위한 CEA-레티와의 이번 협업을 통해 ST가 신뢰할 수 있는 고품질 제품을 양산할 수 있는 검증된 역량 외에도 GaN 및 SiC 제품 및 성능 측면에서 업계 최상의 포트폴리오를 확보하게 되었다”라고 말했다.

엠마누엘 사보나디에르(Emmanuel Sabonnadiere) 레티 CEO는 “레티팀은 레티의 200mm 범용 플랫폼을 이용해 ST의 전략적인 GaN-on-Si 전력-전자 로드맵을 전폭적으로 지원할 것이며, 이 기술을 투르에 위치한 ST의 GaN-on-Si 전용 제조라인으로 이전할 모든 준비를 갖췄다”라며, “양사 팀들이 참여한 이번 공동 개발은 IRT 나노일렉의 프레임워크 프로그램을 활용해 필요한 전문성을 확장하고 장치 및 시스템 레벨에서부터 혁신화를 꾀한다”고 밝혔다.

오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr

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