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인피니언, 전력반도체 생산공장 건립에 2조원 투자

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인피니언 테크놀로지스가 전력용 반도체 칩 생산을 위한 300mm 박막웨이퍼 공장 건설에 나선다.

인피니언은 오스트리아 필라흐(Villach)에 300mm 박막 웨이퍼를 생산하는 자동화된 칩 공장을 건설하며, 향후 6년간 총 16억 유로(약 2조 436억원)를 투자할 계획이라고 밝혔다.

신규 공장은 2019년 상반기에 착공을 시작해 2021년 초 생산을 시작할 것으로 기대된다. 생산 설비를 완전 가동할 경우 추가적인 잠재적 매출 규모는 연간 약 18억 유로로 추산된다.

필라흐는 인피니언 전력 반도체의 핵심 역량 센터로 300mm 박막 웨이퍼 생산을 개발한 곳이다. 직경이 큰 웨이퍼는 생산성을 크게 높이고 운전 자본을 낮춘다. 인피니언은 공장 자동화와 디지털화 개념을 새로운 필라흐 공장에 적용할 계획이다. 2021년에는 300mm 생산 능력을 완전 가동할 수 있을 것으로 기대된다.

라인하드 플로스(Reinhard Ploss) 인피니언 테크놀로지스 CEO는 세계적으로 전력 반도체 수요가 급증하고 있으며, 인피니언은 특히 고객이 찾는 회사로 시장보다 더 탄탄하게 성장하고 있다고 말하고, ”이러한 성장은 기후 변화, 인구 구성의 변화, 증가하는 디지털화와 같은 글로벌 메가트렌드에 의해 뒷받침되고 있다. 전기차, 커넥티드 및 배터리 구동 기기, 데이터 센터, 신재생 에너지원을 이용한 전력 발전은 효율적이고 신뢰할 수 있는 전력 반도체를 필요로 한다. 필라흐에 들어설 신규 공장으로 증가하는 수요를 충족하고 지속적으로 인피니언의 성장을 이끌어 갈 수 있을 것이다.”라고 밝혔다.

리서치 기업인 IHS Markit에 따르면 인피니언은 세계 최대 전력 반도체 공급업체로서 18.5퍼센트의 시장 점유율을 차지하고 있다. 전력 반도체는 전기차, 기차, 풍력 및 태양광 발전, 그리고 모바일폰, 노트북, 데이터 센터의 전원장치 등의 애플리케이션에서 전기 흐름을 제어한다.

한편 새로운 300mm 박막 웨이퍼를 위한 효율적인 신규 새산 공장은 약 400개의 새로운 일자리가 창출될 것이라는 분석이다.

오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr

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스마트자동차

ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스 레티와 전력변환용 GaN-온-실리콘 기술 개발 협력

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진화된 파워 GaN-on-Si 다이오드 및 트랜지스터 아키텍처 개발 및 상용화 위한 협력

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소 레티(이하 CEA-Leti)와 파워 스위칭 디바이스용 GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다. 이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드 충전기, 무선 충전, 서버를 비롯해 고효율, 고전력 애플리케이션을 지원할 수 있게 된다.

광폭 밴드갭 반도체 소재인 GaN 디바이스는 실리콘 같은 기존 반도체 소재보다 더 높은 전압, 주파수, 온도에서도 작동이 가능하다. ST는 이외에도 SiC(silicon carbide)과 RF Gallium Nitride(GaN) 등 두 개의 광폭 밴드갭 기술을 개발하고 있다.

레티는 CEA 테크 산하 기술 연구소로서 스마트하고 에너지 효율이 좋은 안전한 솔루션을 구현하는 산업을 위한 미니어처 기술의 세계적인 리더이다. 1967년 설립된 레티는 마이크로&나노기술을 개척하여 글로벌 기업, 중소 기업 및 스타트업들을 위해 적용 가능한 솔루션들을 차별화해 맞춤형으로 제공해 왔다. 헬스케어, 에너지, 디지털 마이그레이션 분야의 핵심 과제들을 해결해 왔으며, 센서에서 데이터 처리 및 컴퓨팅 솔루션에 이르기까지 다양하게 훈련된 팀들을 통해 세계 정상급의 산업화 설비를 활용하여 안정적인 전문성을 제공하고 있다

이번 양사의 협업은 200mm 웨이퍼 상에서 첨단 GaN-on-Si 다이오드와 트랜지스터 구조를 개발하고 검증하는 데 중점을 둔다. 시장조사업체 IHS 마킷(IHS Markit)은 이 시장이 2019년부터 2024년까지 CAGR(연평균 성장률)이 20%를 넘을 것으로 예상하고 있다. ST는 레티와 함께 IRT 나노일렉의 프레임워크 내에서 레티의 200mm R&D 라인을 이용해 공정 기술을 개발하고, 2019년에 엔지니어링 샘플을 검증할 계획이다.

이와 동시에 ST는 2020년 프랑스 투르(Tours)에 위치한 전공정 웨이퍼 팹(Front-End Wafer Fab)에서 초도 생산을 진행할 수 있도록 GaN/Si 헤테로 에피택시(hetero-epitaxy) 공정을 포함한 완전한 제조라인을 구축할 예정이다.

또한 파워 애플리케이션에서 GaN-on-Si 기술이 지닌 잠재력을 감안해 레티와 ST는 고전력-밀도 의 파워 모듈 조립시 디바이스 패키징을 개선해주는 첨단 기법들을 연구하고 있다.

마르코 몬티(Marco Monti) ST오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장은 “ST는 광폭 밴드갭(Wide-Bandgap) 반도체가 지닌 엄청난 가치를 인지하면서, 파워 GaN-on-Si의 제조 및 패키징 기술을 위한 CEA-레티와의 이번 협업을 통해 ST가 신뢰할 수 있는 고품질 제품을 양산할 수 있는 검증된 역량 외에도 GaN 및 SiC 제품 및 성능 측면에서 업계 최상의 포트폴리오를 확보하게 되었다”라고 말했다.

엠마누엘 사보나디에르(Emmanuel Sabonnadiere) 레티 CEO는 “레티팀은 레티의 200mm 범용 플랫폼을 이용해 ST의 전략적인 GaN-on-Si 전력-전자 로드맵을 전폭적으로 지원할 것이며, 이 기술을 투르에 위치한 ST의 GaN-on-Si 전용 제조라인으로 이전할 모든 준비를 갖췄다”라며, “양사 팀들이 참여한 이번 공동 개발은 IRT 나노일렉의 프레임워크 프로그램을 활용해 필요한 전문성을 확장하고 장치 및 시스템 레벨에서부터 혁신화를 꾀한다”고 밝혔다.

오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr

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업계뉴스

마우저 일렉트로닉스, 302종 신제품 공급망 추가

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마우저 일렉트로닉스는 신제품과 신기술을 신속하게 소개하는 유통기업이다. 신제품 소개(NPI) 부문을 주도하는 마우저는 제조사 700곳 이상의 최신 제품 공급과 신기술 제공을 제일 중요한 가치로 여겨 고객들이 첨단 제품을 이용해 제품 출시 시간을 단축시킬 수 있도록 지원한다.

마우저는 아두이노 MKR VIDOR 4000 등 최근 302종 이상의 신제품을 추가 공급한다고 밝혔다.

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[주요 신제품 소개]
1. Micron 직렬 NOR 플래시 메모리
고유의 인터페이스와 핀 수가 적은 Micron의 직렬 NOR 플래시 메모리는 코드를 쉐도잉하는 애플리케이션에서 필요한 간편하게 사용할 수 있는 솔루션이다. 첨단 보안 및 메모리 보호 같은 특성을 갖춰 필수 프로그램 코드와 민감한 사용자 데이터를 안심하고 보호할 수 있다.

2. Arduino MKR VIDOR 4000
엔지니어는 MKR VIDOR 4000을 이용해서 기본적으로 일련의 견고한 하드웨어를 갖춘 고유의 컨트롤러 보드를 제작할 수 있다. 또한 Intel® Cyclone® 10 FPGA(필드 프로그래밍 지원 게이트 어레이)와 Microchip SAM D21 마이크로컨트롤러 위에 Wi-Fi와 Bluetooth® 연결 기능을 추가할 수 있다.

3. OSRAM Opto Semiconductors SFH 4718A OSLON® 블랙 IR LED
작지만 강력한 SFH 4718A IRED(적외선 LED)는 IR OSLON 블랙 제품군 중 처음으로 ±25도의 좁은 빔 각도를 갖춘 제품으로, 보조 광학 장치가 없어도 중간 포착 범위의 카메라 시스템에서 조명 장치를 사용할 수 있다.

4. Laird FlexMIMO: Wi-Fi MIMO 용 안테나
Laird의 FlexMIMO는 업계 최초의 802.11 Wi-Fi MIMO(다중입출력) 애플리케이션용의 연성 PIFA 안테나이다. 자동화 장비, 의료 장비, IoT(사물인터넷) 장치 등 MIMO 애플리케이션에 맞게 별도로 설계된 2.4/5GHz 듀얼 밴드 안테나 부품 2개가 집적되었다.

신제품에 관한 자세한 정보는 www.mouser.com/newproductinsider에서 확인할 수 있다.

우청 기자 news@icnweb.co.kr

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