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ST마이크로일렉트로닉스, STripFET F7 기술 기반 자동차 등급 40V MOSFET 출시

ST마이크로일렉트로닉스, 탁월한 노이즈 성능 및 효율을 갖춘 자동차 등급 40V MOSFET 출시

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 STripFET™ F7기술 기반 자동차 등급 40V MOSFET 신제품 2종을 출시했다. 이 MOSFET은 탁월한 스위칭 성능과 에너지 효율은 물론 노이즈 방출이 낮고 턴온(turn-on) 오류도 큰 폭으로 줄일 수 있다. 최고 120A의 전류 등급을 갖춘 제품들로 고전류 파워트레인, 차체, 섀시, 안전 시스템과 같은 주요 애플리케이션에 적합한 한편, 고유의 스위칭 특성을 보면 EPS(Electric Power Steering)와 같은 모터 드라이브에도 이상적이다.

ST의 STripFET 제품군은 DeepGATE™ 기술을 사용하여 다이 면적당 낮은 온저항(RDS(on)) 및 낮은 RDS(on) x 게이트 전하(Qg)를 달성하여 비슷한 전력 패키지에서도 탁월한 에너지 효율을 제공한다. 높은 애벌런치 내구성(Avalanche Ruggedness)도 이 제품군의 탁월한 성능으로 꼽을 수 있다.

STripFET F7은 스위칭 성능을 향상시키고, 바디-다이오드의 역회복 전하(Reverse-Recovery Charge; Qrr) 및 역회복 시간(Reverse-Recovery Time; trr)을 줄이는 방식으로 에너지 효율성을 극대화한다. 또한 소프트 회복(Soft Recovery)으로 EMI(Electromagnetic Interference)를 최소화하기 때문에 필터링 부품의 필요성을 줄여준다. 최적화된 디바이스 커패시턴스는 노이즈 면역성을 향상시키고 스너버 회로의 필요성을 줄여주며 임계-전압 조정으로 전용 게이트 드라이버를 사용하지 않고도 뛰어난 턴온 오류 면역성을 유지할 수 있다. 모터 드라이브와 같은 브리지 회로의 경우, 소프트 다이오드 회복을 통해 슛-스루(shoot-through) 전류를 방지할 수 있어 안정성이 향상된다.

40V STL140N4F7AG 및 STL190N4F7AG는 웨터블 플랭크(Wettable Flank) 패키지인 PowerFLAT 5×6 패키지로 AEC-Q101 인증을 받았다. 소형 풋프린트와 0.8mm의 프로파일은 높은 시스템 전력 밀도를 구현하며, 플랭크 설계는 솔더링-접합 안정성 및 수명 연장에 도움을 줄뿐만 아니라 100% 자동 광학 검사를 가능하게 한다.

아이씨엔 매거진 news@icnweb.co.kr

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