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ST마이크로일렉트로닉스, MDmesh DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터 공개

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업 및 컨수머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있는 제품이다.

 엠디메쉬(MDmesh") DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

 

전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고, 저장하고, 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세이다. 이에 따라 클라우드를 호스트하는 대규모 서버팜(Server Farm)은 물론 모든 사람과 사물의 연결 매개체가 제공될 뿐만 아니라 궁극적으로는 데이터 사용이 이루어지는 통신 네트워크에서의 에너지 소모를 최소화할 필요가 증가하고 있다. ST는 최첨단 전력-트랜지스터 구조에 작은 사이즈와 비용 효율성, 열효율이 뛰어난 파워플랫(PowerFLAT) 8×8 HV 패키징 기술을 결합한 세계 최상의 전력밀도 솔루션을 통해 이러한 과제를 해결해 나가고 있다.

ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며, 최고 650V의 항복전압을 갖춘 다양한 초접합(Super-Junction) 전력 MOSFET으로 구성된다. 낮은 게이트 차지(Gate Charge), 입력 커패시턴스 및 저항, 고속 회복 위상 진성 다이오드, 매우 낮은 회복 차지(Qrr) 및 회복 시간(Trr), 업계 최상의 소프트-스위칭(Soft-Switching) 성능 등의 기술적 특성을 모두 갖추어 경쟁력도 뛰어나다.

아이씨엔 매거진 news@icnweb.co.kr

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