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ST, 첨단 60V 파워 MOSFET 출시로 에너지 및 전도 효율성 강화

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 트렌치 기반 저전압 MOSFET인 STripFET™ F7 시리즈에 60V 디바이스를 새롭게 추가했다. 까다로운 에너지 효율성 사양을 만족시키고 전력 밀도를 최대화하는 제품으로 산업용 전원 공급 장치나 태양광 마이크로 인버터의 DC/DC 컨버터 뿐만 아니라 통신, 서버, 데스크탑 PC 등의 전원에 탑재가 가능하다.

트렌치 기반 저전압 MOSFET인 STripFET" F7 시리즈에 60V 디바이스를 새롭게 추가

STripFET F7 MOSFET은 전도 효율성이 좋아지고 간소화된 트렌치 게이트 구조의 스위칭 성능도 좋아졌다. 덕분에 온 저항, 정전용량, 게이트 전하가 매우 낮아서 탁월한 성능지수(RDS(ON) x Qg)를 보인다. 고유 바디 다이오드는 회복 전하(recovery charge)가 낮아서 스위칭 속도를 빠르게 한다. 애벌런치 내구성(avalanche ruggedness)이 높아서 혹독한 전기 조건에서도 탄탄한 성능을 보장하며 리버스 트랜스퍼 정전용량(reverse-transfer capacitance)과 입력 정전용량 사이의 낮은 비율(Crss/Ciss)은 EMI 내성을 높인다.

이번 60V STripFET F7 MOSFET은 동기식 정류용에 맞도록 제작됐으며, 보다 적은 수의 병렬 디바이스로 최대 전류를 얻을 수 있어서 전력 밀도를 높이고 부품 수는 줄일 수 있다. 제품 범위는 12개의 부품 번호로 구성되며, 산업 표준 파워 패키지와 90A ~ 260A의 최대 전류(Tc = 25°C에서 실리콘 제한의 연속 드레인 전류)를 망라한다. 지원되는 패키지는 PowerFLAT™ 5×6, PowerFLAT 3.3×3.3, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP 그리고 2리드 또는 6리드의 H2PAK이다.

파워일렉트로닉스 매거진 power@icnweb.co.kr

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