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ST마이크로일렉트로닉스, 저전력 차세대 45nm CMOS 를 위한 디자인 플랫폼 발표

세계 최고의 반도체 제조사중 하나인 ST마이크로일렉트로닉스 (NYSE: STM)는 저전력, 무선 및 휴대용 컨수머 애플리케이션에 적합한 차세대 SoC (System-on-Chip) 제품 개발을 위한 45nm (0.045-micron) CMOS 디자인 플랫폼의 세부 사항을 발표했다.<BR><BR>ST의 혁신적인 저전력 프로세스 옵션은 다수의 임계 트랜지스터를 갖추고 있어 65nm 기술로 구현된 설계와 비교해 실리콘 면적을 절반으로 감소시킨다. 동시에, 이 프로세스는 속도를 최대 20%까지 향상시키거나 동작하는 동안 누설 전류를 절반까지 감소시키고, 정지 모드시 수십배의 누설 전류를 감소시킨다. 이 마지막 옵션은 배터리 수명이 결정적인 요소인 휴대용 제품에서 설계자들에게 중요한 이점을 실현시켜 줄 것이다.<BR><BR>최첨단 45nm 저전력 CMOS 플랫폼은 고집적 45nm 디모듈레이터 SoC 디바이스 설계를 완성 또는 테잎-아웃하기 위해 이미 사용되고 있다. 이 칩 설계는 고성능 듀얼-코어 CPU 시스템과 관련 메모리 계층을 포함하고 있으며, 새로운 수준의 성능을 낮은 소비 전력으로 통합하기 위해 45nm 프로세스 기술 노드에서 요구되는 정교한 저전력 기법이 특징이다. <BR><BR>새로운 저전력 설계 플랫폼은 45nm 공정 기술의 다양한 특징들과 모듈방식의 장점들을 모두 활용하고 있으며 프랑스 그레노블 (Grenoble)에 근처의 크롤 (Crolles)에 소재한 ST마이크로일렉트로닉스의 부지에서 개발되었으며 크롤2 연합 (Crolles2 Alliance)으로 운영되는 300mm 웨이퍼 시설단지에서 검증되었다.<BR><BR>ST마이크로일렉트로닉스의 제조 및 기술 R&D 부문 부사장인 로랑 보송 (Laurent Bosson)은 “저전력 45nm CMOS 기술에 대한 초기 접근은 무선 및 휴대용의 컨수머 신제품을 비롯해 특히 차세대 3G 및 4G 핸드헬드 멀티미디어 단말기를 개발할 때 업계 최고의 제조업체들에게 중요하다. ST의 저전력 45 nm CMOS 플랫폼을 사용해 개발된 실리콘은 애플리케이션이 고성능을 실현하면서 저전력 소모를 가능하게 할 것이다”라고 말했다.
아이씨엔 오승모 기자

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