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페어차일드 반도체, MicroFET 신제품 7종 출시

<P>페어차일드 반도체는 MicroFET 신제품 7종을 새롭게 출시해, <30V 및 <20V 범위의 저전압 애플리케이션을 겨냥한 업계 최대 제품군 규모를 갖춘 소형 폼 팩터 디바이스군에 추가시켰다. 페어차일드의 고성능 파워트렌치(PowerTrench)및 패키징 기술을 하나의 디바이스에 통합시킴으로써, MicroFET은 기존 MOSFET 제품 대비 성능 및 공간 이점을 제공한다. </P> <P>예를 들어MicroFET의 2mm x 2mm x 0.8mm MLP (molded leadless package)는 저전압 설계에서 일반적으로 사용되는 3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6 패키지 MOSFET에 비해 55% 더 작고 높이는 20% 더 낮다. MicroFET 은 SC-70 패키지의 기존 MOSFET 제품 대비 더욱 뛰어난 전력 소비와 유도 손실의 특성을 제공한다. 소형 패키징 및 고성능의 결합된 이점은 MicroFET 디바이스가 배터리 충전, 부하 스위칭, 부스트, DC/DC 변환 및 기타 수많은 저전력 공간 제약형 전력 관리 애플리케이션에 이상적이게 한다.<BR><BR>페어차일드의 커뮤니케이션 제품 사업부 크리스 윈클러 (Chris Winkler) 마케팅 이사는 “페어차일드의 MicroFET 제품들은 초소형, 로우-프로파일 휴대형 애플리케이션이 요구하는 고성능 열 성능에 대한 요구를 특히 만족시킨다”면서 “ 최첨단 패키지를 이용한 7종의 새로운 디바이스 출시는 엔지니어에게 공간을 절약하면서 저전압 애플리케이션에서 온도 및 전기 성능을 향상시키는 다양한 MicroFET 제품들을 선택할 수 있게 한다”라고 말했다.<BR><BR>새로운 MicroFET 제품 4종 FDMA1023PZ, FDMA520PZ, FDMA530PZ, FDMA1025P는 단일 및 듀얼 P-채널 PowerTrench MOSFET 및 ESD 보호 제너 (zener) 다이오드를 결합한 다양한 구성을 제공한다. 추가적인 시스템 성능을 위해, FDMA1023PZ는 1.5V 만큼 낮은 게이트 전압(VGS) 에서 보장된 정격 RDS(ON) 을 제공한다.<BR><BR>신제품 7종 중 나머지 제품 3종은 N- 혹은 P-채널 MOSFET/쇼트키 다이오드 결합을 제공한다. FDFMA2P029Z 와 FDFMA2P857 디바이스는 향상된 순방향 전압 (VF)과 역 누설 (reversed leakage: IR)를 위해 최적화된 쇼트키 다이오드와 P-채널 MOSFET이 결합되어 효율을 최대화시킨다. 이 디바이스 2종은 열 저항 감소가 중요한 충전 애플리케이션에 이상적이다. 세 번째 디바이스 FDFMA2N028Z는 N-채널 MOSFET와 쇼트키 다이오드 결합으로 이용되며, 이 구성은 부스트 애플리케이션에서 매우 적합하다.<BR><BR>이 제품들은 공동 ICP/JEDEC 표준 J-STD-020C의 요구를 충족 또는 상회하는 무연 패키지로 이용할 수 있으며 현재 시행되고 있는 유럽 연합 규정들을 준수한다. </P>
아이씨엔 김철민 기자

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