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트랜지스터, 이제는 조립한다

<P>반도체 소자가 고집적화되고 미세화됨에 따라, 현재의 깎고 쌓는 실리콘 기술은 제조비용이 증가하여 앞으로 10여 년 후에 한계에 도달할 것으로 예견된다. 이러한 실리콘 기술의 대안으로서 반도체 나노와이어와 같은 빌딩블럭을 전자의 흐름을 제어하는 채널로 조립하여 반도체 소자를 형성하는 방법이 주목을 받고 있다.<BR><BR>반도체 나노와이어와 같은 나노 물질은 길이, 폭, 두께 중 적어도 하나 이상의 치수가 100nm 이하인 물질을 지칭한다. 대표적인 나노 물질로서는 양자점, 탄소나노튜브, 나노와이어, 나노박막 및 나노 크기의 빌딩블럭으로 이루어진 나노구조물 등으로 분류할 수 있다.<BR><BR>나노와이어 중에서 전기적으로 반도체 특성을 갖는 나노와이어를 반도체 나노와이어라고 부른다. 반도체 나노와이어는 그 종류가 다양하고, 순수한 단결정 형태로 합성할 수 있다. 또한, 결정의 성장과정에서 조성, 직경, 길이 등과 같은 거의 모든 주요 특성들을 원하는 대로 조절할 수 있다는 장점이 있어, 가장 확실한 나노 규모의 빌딩블럭으로 각광을 받고 있다.<BR><BR>반도체 나노와이어를 이용한 트랜지스터의 제조 방법은 실리콘 기판 상에 금속 입자를 배열하여 나노와이어를 수직 성장하고, 게이트 유전막과 도전막을 증착하여 게이트 전극을 형성하고, 드레인을 증착하여 완성하게 된다. <BR><BR>최근 5년간 반도체 나노와이어 기술관련 국내 특허출원 동향을 살펴 보면, 2002년까지 8건 정도로 그 출원이 미미하였으나 2003년을 기점으로 출원량이 가파르게 증가하고 있다. 특히 미국 12%, 유럽 8%에 비해 한국이 출원량의 70%를 차지하여 이 분야에 대한 국내 기술력의 전망을 밝게 해 주고 있다. </P> <P>- 자료 제공: 특허청 -</P>
ICN 오현서 기자

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